元件表面的微米杂质颗粒物对微纳制造、光电器件开发和应用等方面有着极大的危害，因此，研究其合理有效祛除方法有着实际意义。采用传统清洗方法祛除颗粒物，（效）果不佳，难以满足要求。

       等离子离子清洗设备是一种新的清洗技术，它有着除污能力强、效果好、非接触、使用简易等优势，有着宽阔的应用前景。在等离子清洗设备清洗环节中，具有着许多复杂的物理环节，如等离子体的产生、沉积能的积累等，这些物理环节对颗粒物有直接的影响。
       硅基底表面有直径10~2纳米的粒子，这些粒子在等离子清洗设备的影响下，除了极小的纳米粒子以外，基本上完全被除去。冲击波对微纳颗粒物的祛除效果很明显，对直径大于0.5微米的颗粒物祛除是比较彻底的，而粒径小于此粒径的颗粒物基本去除了原量的50%左右。该等离子清洗设备辐射光谱由连续光谱和叠加在其上的线状谱线组成，光谱范围广，从紫外到近红外，但主要集中于可见光范围。宽光谱辐射有助于增加基底表面颗粒物对等离子体辐射能量的吸收。等离子体的产生、扩散及其本身的特性都会对基底表面产生影响，直接影响祛除效果。因此，颗粒物祛除的物理环节与等离子体的特性密不可分。自由电子的击穿电离环节主要有两个环节：
1)多光子电离，主要是利用多光子电离因素，使空气中的自由电子密度略有增加，这些自由电子可作为随后大量产生自由电子的基础。
2)自由电子密度增大到一定程度后，就会产生吸收因素，强吸收后续激光脉冲能量，使其密度增大，即雪崩电离阶段。
       这一环节中空气的自由电子密度很高，且大部分脉冲能量被吸收沉积，透射量很小。这类浓度较高的等离子体在短时间内集中沉积了大部分脉冲能量，因而有着高温、高压特性。等离子清洗设备产生的等离子体可视为与微粒之间传热的中介，能合理有效地将脉冲能量传递给颗粒物。颗粒物和基体材料不同，形状和大小不同，将导致对等离子体辐照的吸收也不同，进而产生不同的温差和相应的膨胀应力差，使微粒与基底更容易分离。颗粒物的合理有效祛除是等离子体综合影响的效果，其中颗粒物对等离子体辐射吸收引起的热膨胀因素，颗粒物与基底间产生应力差，颗粒物易于祛除。但是这类应力差通常会小于微粒与基底之间的粘附力，而且应力消失后，颗粒物仍然粘附在基底上，因此难以实现合理有效的祛除。与此同时，在等离子体的影响下，微粒能够合理有效地剥离基底，从而达到清洁基底的目的。

        颗粒去除的主要原因是等离子清洗设备的处理。等离子体技术能够合理、有效地去除精密元件表面杂质微粒，主要源于等离子体的宽谱辐照因素和冲击波因素。在基体和颗粒物的热膨胀程度不同的情况下，脉冲能量被合理有效地传递到基体及表面的杂质微粒中，导致二者分离。等离子体处理产生的冲击，将进一步克服颗粒物对基面的吸附能力，从而实现杂质颗粒物的祛除。
        在实际去除杂质微粒时，应控制等离子清洗设备中的等离子体表面与焦点的距离，使等离子体的应力要小于材料的断裂，并且大于微粒剥离力，这样才能合理有效地祛除表面杂质。