等离子刻蚀机机制是ICP射频形成的輸出到环耦合线圈：
       众所周知，一般只使用等离子蚀刻机、表面清洗和表面活化作用，今日，详细介绍下等离子的另1个作用：刻蚀。
等离子刻蚀是什么？在半导体器件工序、微电子IC制作工序以及微纳制作阶段中，腐蚀是一个十分关键的阶段。通过化学或物理方法，选择性地移除硅片表面多余物质的阶段。其基本目标是正确复制涂层硅片上的模具图形。等离子刻蚀的分类：干蚀刻和湿蚀刻。湿蚀刻是一种纯化学反应阶段，利用溶液与预蚀刻材料之间的化学反应去除未覆盖的部分，达到蚀刻的目的。干蚀的种类很多，主要有挥发性、气相性、等离子腐蚀等。
等离子刻蚀是干法刻蚀中最常见的形式：

      等离子刻蚀机的基本原理是ICP射频ICP射频形成的射频輸出到环耦合线圈，通过耦合光放电形成一定比例的混合蚀刻气体，形成高密度等离子。在下电极RF射频的作用下，这些等离子刻蚀机轰击基板表面，中断了基板图形区域半导体材料的化学键，与蚀刻气体形成挥发性物质，以气体形式与基板分离，从真空管道中取出。

首先，在某种程度上，等离子清洗本质上是等离子刻蚀机的轻微情况。这样，通过接入所需的蚀刻气体，增加功率，提高工作时间，可以达到蚀刻的目的。毕竟，如果不是专业的蚀刻机，效果肯定不如专业的蚀刻机好。然而，纳米级蚀刻仍然可以根据材料、功率、工作时间等处理，甚至可以达到微米级蚀刻。
        对于一些不需要经常使用蚀刻的客户，或者蚀刻要求不高的客户，可以用等离子刻蚀机进行蚀刻处理，只需要准备掩模板，这对于成千上万的蚀刻机来说是十分划算的。目前等离子刻蚀在集成电路制作广泛使用，去除表面有机物，等离子是部分离化的中性气体，在等离子中自由电子与中性分子，原子进行碰撞，通过碰撞电离，进一步得到更多的电子和离子。基于电子的能量，可以获得更丰富的离子，激发态高能中性粒子等，同时由于电子吸附在中性气体表面还可获得负离子。由于每种气体在原子分子物理学中有各自的能级结构，故高能电子可以将气体激发到不同的能级上，当气体分子、原子从高能级向低能级回迁时将会辐射出不同能量的光子，不同能量的光子代表了不同的波长。