近年来 ，等离子薄膜气相沉积的研究逐渐兴起 。是继真空等离子体气相沉积膜之后 ，很好的一种制备薄膜 ，不受真空条件的限制 ，能耗低，在工业应用中有前景广阔 。在相同的反应条件下进（行）气相沉积反应 ，制备纳米晶TiO2多孔薄膜，是自行设计并搭建介质阻挡放电装置 。
       等离子体随着功率的增加 ，放电细丝的密度增加 ，随着电子密度和离子密度的增加 。 利用氩气等离子体的相似性 。在计算中，常压介质阻挡放电的电子激发温度约为0. 67 eV。其次 ，我们考察了放电功率 、沉积时间 、气流比例和衬底偏差、压力 、后处理 等因素阻挡常压介质放电等离子体化学气相沉积膜。
影响沉积速率、表面形态 、化学成分 、化学结构、结晶度等特性 。

        随着放电功率的增加 ，膜的沉积速率增加 ，当放电功率保持不变时，单体气流越大，膜的沉积速率越大。随着单体通入量的增加 ，薄膜上的颗粒变得密集 ，均匀性破坏很大 ，导致成膜结构不稳定。 它改变 了薄膜 颗粒的生长方式 ，类似于串联密集生长和偏压值上升 。
高度过后 ，颗粒间紧密堆积的现象越来越显著 。
晶圆级封装前处理的等离子清洗机
        晶圆级封装（WLP，Wafer Level Package）是先进的芯片封装方式之一，即整片晶圆生产完成后，直接在晶圆上面进行封装和测试，然后把整个晶圆切割开来分成单颗晶粒；电气连接部分采用用铜凸块（Copper Bump）取代打线（Wire Bond）的方法，所以没有打线或填胶工艺。
       晶圆级封装前处理的目的是去除表面的无机物，还原氧化层，增加铜表面的粗糙度，提高产品的可靠性。
       晶圆级封装前处理的等离子清洗机由于产能的需要，真空反应腔体、电极结构、气流分布、水冷装置、均匀性等方面的设计会有显著区别。2-4 芯片制作完成后残余的光刻胶无法用湿式法清洗，只能通过等离子的方式进行去除，然而光刻胶较厚无法确定，所以需要去调整相应的工艺参数。