crf等离子表面处理仪作用下O2氧化CH4反应机理制取C2烃反应-等离子设备技术文章

新闻动态: 诚峰智造动态; 等离子清洗机企业资讯; 等离子清洗机行业资讯; 等离子设备技术文章

等离子解决方案: 等离子汽车制造业; 等离子电子数码制造业; 等离子医疗行业; 等离子织物印染业; 等离子重工业; 等离子半导体封装业; 等离子新能源业; 等离子IC半导体业; 等离子PCB领域; 等离子屏幕组装

产品中心: 等离子表面处理机; 等离子清洗机; 等离子处理机; 等离子电源; 等离子喷枪; 等离子活化

plasma等离子处理系统


plasma等离子处理系统

联系我们

首页 > 新闻动态>等离子设备技术文章 > crf等离子表面处理仪作用下O2氧化CH4反应机理制取C2烃反应

crf等离子表面处理仪作用下O2氧化CH4反应机理制取C2烃反应

crf等离子表面处理仪作用下O2氧化CH4反应机理制取C2烃反应：
crf等离子表面处理仪引发的自由基反应与非均相催化反应非常相似，但plasma等离子体是相当行之有效的官能团引起形式。对于CO2氧化CH4一步制取C目前对2烃反应机理的看法比较一致：CO分解反应在等离子体的作用下产生CO和激发态.在甲烷氧化偶联反应中，亚稳态活性氧物种非常活跃。依据反应，官能团是C2H6.C2H4.C2H2.CO和H2、可能的反应机制如下：
(1)生成氧物种
CO2+e→CO+0-
CO2+e→CO+0+e
(2)生成甲基官能团
CH4+0-→CH3∙+0H-
CH4+O→CH3∙+OH
(3)生成C2烃
CH3+CH3→C2H6
C2H6+e→C2H5+H+e
C2H6+O→C2H5+OH
2C2H5→C2H4+C2H6
C2H5+CH3→C2H4+CH4
(4)生成CO
CHX+O→HCHO+H
HCHO+O→OH+CHO
CHO+O→OH+CO

等离子表面处理仪

crf等离子表面处理仪作为一种行之有效的官能团引起手段已成功的用于CO2氧化CH4一步制取C2烃反应，取得了比化学催化法更好的试验效果。但C2烃产物选择性较低，反应机理尚不清楚，因此有必要对等离子体作用下CO2氧化CH4一步制取C2烃反应进行深入研究。

采用发射光谱方法，在紫外-可见波段可有效地检测到crf等离子表面处理仪中许多种类的激发态物种，不对等离子体反应体系产生干扰，可实现原位分析。因而近年来，有关发射光谱原位诊断技术用于crf等离子表面处理仪的研究报道不断增多，但主要集中于对等离子体条件下CH4-H2制金刚石薄膜沉积体系的研究。采用发射光谱法原位诊断技术分析crf等离子表面处理仪条件下CO2氧化CH反应体系不同CO2加入量时CH4反应活性物种。

上一篇 :常压等离子清洗机喷涂工艺可对备单片涂层有很好的作用下一篇 :使用等离子活化机的哪些特性可以对半导体芯片、晶圆进行清洗

日期：2022-11-21

支持材料测试、提供设备试机

诚峰智造首页

plasma清洗机

产品中心

等离子解决方案

新闻动态

关于诚峰智造

plasma等离子处理系统

plasma等离子处理系统

crf等离子表面处理仪作用下O2氧化CH4反应机理制取C2烃反应

常压等离子电源

USC干式超声波除尘设备

微波等离子清洗机

自动On-Line式AP等离子活化设备

真空等离子活化机

全自动等离子活化设备

诚峰智造——专注等离子研发20年

支持材料 测试、提供设备 试机

诚峰智造首页

plasma清洗机

产品中心

等离子解决方案

新闻动态

关于诚峰智造

plasma等离子处理系统

plasma等离子处理系统

crf等离子表面处理仪作用下O2氧化CH4反应机理制取C2烃反应

常压等离子电源

USC干式超声波除尘设备

微波等离子清洗机

自动On-Line式AP等离子活化设备

真空等离子活化机

全自动等离子活化设备

诚峰智造——专注等离子研发20年

支持材料测试、提供设备试机