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TO封装性能的提升离不开等离子表面处理工艺的应用

TO封装性能的提升离不开等离子表面处理工艺的应用:
       TO是晶体管的形态,早期晶体管大多采用同轴封装,后来借用于光通信,称为光通信,称为TO封装,即同轴封装。目前同轴器件由于制造方便、低成本优势大,基本占据着热门的光学器件市场应用。
       在光电器件的开发和生产中,封装往往占其成本的60%~90%,其中80%的制造成本来自组装和封装过程。因此,封装在降低成本方面发挥着重要作用,并逐渐成为研究的热点话题。
      TO封装中存在的问题主要包括焊接分层、虚拟焊接或线路硬度不足,导致这些问题的罪魁祸首是铅框架和芯片表面的污染物,主要是微粒污染、氧化层、有机残留物等,这些现有的污染物使芯片和框架底板之间的铜线焊接不完整或虚拟焊接,如何解决微粒、氧化层等污染物,提高包装质量尤为重要。

        等离子表面处理主要通过活性plasma体对材料表面进行物理轰炸或化学反应等单一或双重效应,从而实现材料表面分子水平的污染物去除或改性。在封装过程中,可以有效去除材料表面的有机残留物、微颗粒污染和氧化薄层,提高工件表面的活性,避免引线键合分层或虚拟焊接。
       等离子表面处理工艺的应用能够大幅提高粘合和引线键合硬度的性能,还可以避免长期接触引线框架引起的再次污染。

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