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半导体等离子蚀刻机在真空环境下的原理优势

半导体等离子蚀刻机在真空环境下的原理优势:
       在光刻技术中,半导体表面会出现残胶,这就需要一个好的方法进行处理,将残胶清除的同时不会对产品造成损伤,等离子蚀刻机就是这样的一个设备,通过等离子体进行处理,效果非常不错。
等离子刻蚀机去胶原理,1种干式的去胶方式进行产品放入设备中,通过真空泵抽空气体,使等离子刻蚀机保持真空状态,这时候将工艺气体放入设备中进行反应,产生活性等离子体,与表面的残胶发生反应;光刻胶的基本成分是碳氢化合物,在反应中,这些化合物会消失,产生co、CO2、水等。这些成分会被真空泵抽走,表面清洁就完成了。

半导体等离子蚀刻机

       半导体等离子蚀刻机去胶优势在过去,很多工厂都采用的湿式处理法,但是随着技术不断变革,产品不断升级,处理要求也随之升级干式法逐步取代了湿式处理。
       等离子干刻机的去胶只需气体的参与,无需化学试剂的浸泡,无需烘干,整个处理环保干净,清洗过程可控性非常强,而且不会对周围环境以及人员造成不良的影响;这种工艺还能够降低成本,提高产品的良品率以及生产效率,所以设备在半导体制程的各类方面都广泛的得到了应用。
       残胶去除在半导体制造过程中非常重要。清洁是否干净彻底,表面有无破损等。都会影响后续的工艺,进而影响整体制造和性能,对良品率有重要影响。可见一个好的处理工艺,好的设备是可以影响产品的,半导体等离子蚀刻机是可以提高公司的利润,降低成本的。

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