湿法清洗和干法plasma清洗2种蚀刻方式优缺点对比较：
        湿法清洗系统，适用于先进的无损兆声清洗，可用于加工制造易损坏带或无图案的基板，包括带保护膜的模板。为了保证基片不受损伤，达到良好的清洁效果，必须保持兆声能量密度略低于样片上任意位置的损伤阈值。湿法刻蚀技术使基片表面声波能量均匀分布，提升了分布能量以支持理想清洗，并保证在样片损伤阈值范围内。该系统具有重复性高，均匀度好，Z级先进的兆声清洗功能，兆声辅助下的光刻胶剥离和湿法刻蚀功能。本产品可按工艺步骤进行无损检测、化学试剂清洗、刷子清洗、干燥等。
2种湿式和干式plasma清洗方式优缺点对比比较：

      湿法蚀刻系统是通过化学蚀刻液与被蚀刻物之间的化学反应使其剥落的一种蚀刻方式。湿法蚀刻多为各向同性蚀刻，不易控制。
特点：适应性强，表面均匀，对硅片的损伤小，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。
缺点：绘图质量不理想，绘图中的小线难以把握。
干法蚀刻系统的蚀刻介质是等离子体，它是利用等离子体与表面膜反应，产生挥发性物质，或直接轰击膜表面使其蚀刻的过程。
特征性：能实现各向异性蚀刻，以保证细节转换后图像的保真性。
缺点：成本一般，且用于微流控芯片的制备较少。
       干式plasma清洗系统包括：用于容置电浆用的空腔；空腔上方的石英盘；石英盘上方的多个磁体；旋转机构，它带动多个磁体旋转，其中多个磁体产生与该磁体一起旋转的磁场。通过进一步提高粒子的碰撞频率，可以获得佳的电浆均匀性，提高等离子浓度。