1、用不同材料的钝化膜芯片进行等离子清洗试验中发现，研究膜层材料对等离子清洗过程的响应情况。试验中选取不同种类的氮化硅和聚酰亚胺钝化膜的芯片10只，经过多次等离子清洗后，放大200倍观察芯片表面的状态。
聚酰亚胺钝化膜的芯片在经过等离子清洗后可能会出现钝化膜局部略微凸起的圈状起皱现象，不同钝化膜材料对等离子清洗响应的差异较大。起皱芯片的整个聚酰亚胺钝化膜为完整连续的，起皱部位没有出现裂纹，且下层的铝条和硅基体没有损伤。
2、等离子清洗，设备功率对78L12芯片的影响
等离子清洗过程中的时间（400 s）保持不变，通过改变等离子清洗功率，研究等离子清洗功率对78L12芯片的影响规律。等离子清洗功率为100 W、200 W、300 W、400 W、500 W时，78L12芯片的常温和加热条件下（85 ℃）输出电压的变化，在等离子清洗时间和气氛不变的前提下，随着清洗功率的增加，等离子清洗前后78L12芯片在常温和加热条件下输出电压变化量均呈近似线性增加的趋势。在等离子清洗功率和气氛不变的前提下，随着清洗时间的增加，等离子清洗前后78L12芯片的常温和加热条件下输出电压变化量不断增加，并趋于稳定。
3、退火工艺对78L12芯片电性能的影响
将常规工艺等离子清洗后78L12芯片置于150 ℃的空气环境中存储4 h，随后测试其输出电压，结果将等离子清洗后的78L12芯片置于150 ℃的空气中退火4 h后，芯片的输出电压显著回落。加热条件下储存环境加速了芯片材料内部原子的运动速度和振动频率，促使原子向平衡状态的转变，表现为78L12芯片输出电压的回落。这也说明等离子清洗中78L12芯片电压的升高是一个可逆的过程，芯片内部并未
发生击穿性损伤。
4、加电老炼对78L12芯片电性能的影响
将退火后的78L12芯片在125 ℃下老炼168 h后，测量芯片的输出电压，见表4。78L12芯片经过功率老炼考核之后，输出电压值稳定。相比于等离子清洗之前测定的初始电压，老炼后的输出电压略有下降，这是等离子清洗后芯片退火不彻底，在125 ℃、168 h的加热条件下诱导下退火过程持续进行，输出
电压进一步下降。
5、氮化硅膜芯片在多次等离子清洗后未出现钝化膜起皱的现象。因此，对于聚酰亚胺膜的芯片，需控制等离子清洗的次数，即进行一次等离子清洗。而氮化硅钝化膜的芯片可以进行多次等离子清洗，无圈状起皱的风险。
在等离子清洗对芯片电性能影响的研究中发现，随着等离子清洗功率和时间的增加，78L12芯片的输出电压均呈增加的趋势。在等离子清洗过程中造成芯片的输出电压的变化是一个可逆的过程，在退火及加电老炼等过程中，输出电压逐渐回落，恢复平衡。因此，等离子清洗过程未对芯片造成不可恢复的电性能损伤，芯片的长期可靠性得以保证。

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