当前，硅片表面微粒的去除方法主要有两种：一种是标准洗涤(RCA)洗涤技术性，另一种是使用等离子清洗机洗涤。RCA洗涤技术性中的大部分洗涤装置都是多槽浸泡式洗涤系统。
        选用以下流程进行洗涤：1号液(SC-1)(NH40H+H202)-HF+H20)1、2号液(SC-2)(HCl+H202)。其中，SC.主要是去除颗粒沾污(微粒)，也可以除去部分金属杂质。其原理是硅片表面由H202氧化形成氧化膜(约6nm，亲水性)，再被NH40H腐化，腐化后直接产生氧，氧化和腐化反复发生，附着在硅片表面的粒子也随着腐化层的侵蚀而产生。天然氧化膜厚度为0.6nm左右，与NH40H、H202浓度、清洗液温度无关。SC-2是由H202和HCL组成的酸性溶液，它具有很强的氧化性和络合性，可以与未氧化的金属产生盐。去离子水清洁后，CL产生的可溶性络合物也被去除。RCA洗涤技术性具有工作量大、实际操作环镜危险性的技术性繁杂、洗涤时间长、生产效率低的洗涤溶剂长期浸泡容易腐烂硅片和水痕，影响设备性能的清洗剂和超净水消耗量大、生产成本高的缺点。 

      等离子清洗法的原理是：依靠处于“等离子态”的物质“激活”，达到清除物体表面微粒的日。一般包括下列程序：
a.无机汽体被激起为等离子体；
b.气相物吸附于固体的表面；
被吸附基团与固体表面分子发生反应，产生产物分子；
产物分子解析形成(相：e.反应残余物从表面分离)。
       上述等离子清洗法，所述的制程参数设置为：腔室压力10-40ml托，汽体流100-500sccm，時间1-5s。在优选条件下，汽体清洁流程的工序参数设置为：腔室压力10-20ml，工序气体流量100-300sccm，時间1-5s；汽体清洁流程的工序参数设置为：腔室压力10-20ml托，流程气体流量100-300sccm，時间1.Ss。尽量将汽体清洁流程的工序参数设置为:腔室压力15毫托，工序气体流量300時间3秒；启辉流程的工出参数设置为:室压15毫托，上电极功率300毫托，時间3秒。