等离子体清洗方法可以清洗硅片表面的残留物，并且其成本低，劳动量小，工作效率高。接下来详细分析等离子清洗方法在硅片的清洗流程以及工艺参数

1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤:首先进行冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉;所用气体选自02、Ar、 N2中的任-种;气体冲洗流程的工艺参数设置为:腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm,时间1-5s;过程的T艺参数设置为:腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率 250-400W, 时间1-10s；
2、等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02;
3、等离子体清洗方法，其特征在于4 i体冲洗流程的工艺参数设置为:腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为:腔室压力15 亳托，工艺气体.流量300sccm，. 上电极功率300W，时间Ss;
4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为:腔室压力10-20亳托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为:(腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300ccm，上电极功率 250-400W，时闾1-5s;
5、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲沈流程的I.艺参数设置为:腔室压力15毫托，工艺体流量300ccm，时间3s;过程的工艺参数设置为:腔室压力15亳托，工艺体流量300sccm，上电极 功率300W，时间Ss等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残留颗粒的清洗.
       等离子体清洗方法在刻蚀过程中，颗粒的米源很多:刻蚀用气体如C12、HBr、CF4等都具有腐蚀性，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒:反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒:反应室内的内衬也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件损坏。因此，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。